iBasso stellt einmal mehr seinen technologischen Vorsprung in der Welt der tragbaren Hochleistungs-Audiogeräte unter Beweis. Der AMP17 ist der erste Kopfhörerverstärker, der Galliumnitrid (GaN) verwendet. Im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs oder bipolaren Transistoren bieten GaNFETs eine Elektronenbeweglichkeit von bis zu 2000 cm²/V-s, was zu höheren Elektronengeschwindigkeiten und geringeren Leitungsverlusten bei hohen Frequenzen führt.
Die Gesamt-Miller-Ladung (QGD) von GaNFETs ist deutlich geringer als die von herkömmlichen MOSFETs mit ähnlichem Widerstand. Diese Eigenschaft ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten, was in Audioverstärkern zu einem verbesserten Einschwingverhalten, einem erweiterten Dynamikbereich und einer hochpräzisen Steuerung führt.
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